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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

C3M0060065D

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065K

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120D

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0060075K1

產(chǎn)品說(shuō)明:汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075K1

產(chǎn)品說(shuō)明:汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS350M12BM3

產(chǎn)品說(shuō)明:碳化硅(SiC)模塊 1200V 350A 底座安裝,62 mm, 半橋

封裝:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS530M12BM3

產(chǎn)品說(shuō)明:碳化硅(SiC)模塊 1200V 530A 底座安裝,62 mm, 半橋

封裝:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CHB011M12GM4

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V, 11 mΩ, GM, T型, 工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)模塊

封裝:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB004M12GM4

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V, 4 mΩ, GM, 半橋,工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)模塊

封裝:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS310M17BM3

產(chǎn)品說(shuō)明:1700V 310A 碳化硅半橋模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB6R0A23GM4T

產(chǎn)品說(shuō)明:2300V 6.0 mΩ 碳化硅半橋模塊

封裝:模塊
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB7R5A23GM4T

產(chǎn)品說(shuō)明:2300V 7.5 mΩ 碳化硅半橋模塊

封裝:模塊
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB5R0A23GM4T

產(chǎn)品說(shuō)明:2300V 5.0 mΩ 碳化硅半橋模塊

封裝:模塊
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0280090J

產(chǎn)品說(shuō)明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 900 V 11A(Tc) 50W(Tc) TO-263-7

封裝:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120D

產(chǎn)品說(shuō)明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 97W(Tc) TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120J

產(chǎn)品說(shuō)明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 7.2A(Tc) 40.8W(Tc) TO-263-7

封裝:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
共153記錄?上一頁(yè)1234...10下一頁(yè)?
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