C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。

C3M0160120D的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

Id-連續(xù)漏極電流：17 A

最大工作溫度：+ 150°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：97 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：38 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：160 mOhms

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 19 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.6 V

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