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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

STL135N8F7AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝

封裝:PowerFLAT? 5x6
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW40N95K5
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:N溝道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封裝

封裝:TO-247
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW48N60M6
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:N溝道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封裝

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STF22NM60N
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:N溝道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封裝

封裝:TO-220-3
10起
50000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NIS5132MN4TXGHW
ON

產(chǎn)品說(shuō)明:高性能 N 溝道 MOSFET

封裝:SOP-8
10起
9000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXTP160N10T

產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

封裝:TO-220-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH25N12U3SR

產(chǎn)品說(shuō)明:250V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH15N19U3SR

產(chǎn)品說(shuō)明:150V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH10N22U3SR

產(chǎn)品說(shuō)明:增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET,150°C、100V U3

封裝:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RCX450N20

產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

封裝:TO-220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - 功率,單 N 溝道,SUPERFET V,易驅(qū)動(dòng),TO247-3L 600 V,99 m,33 A

封裝:TO-247-3
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - 功率,單 N 溝道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

封裝:D2PAK-7
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - 功率,單 N 溝道 40 V,0.92 m,300 A

封裝:5-DFN
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - N 溝道屏蔽柵 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封裝:TO-263-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL175N4LF8AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

封裝:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL170N4LF8
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

封裝:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
共285記錄?上一頁(yè)1234...18下一頁(yè)?
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