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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

STL135N8F7AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝

封裝：PowerFLAT? 5x6
10起
15000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STW40N95K5
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N溝道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封裝

封裝：TO-247
10起
8000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STW48N60M6
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N溝道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STF22NM60N
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N溝道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，TO-220FP封裝

封裝：TO-220-3
10起
50000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NIS5132MN4TXGHW
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：高性能 N 溝道 MOSFET

封裝：SOP-8
10起
9000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IXTP160N10T

產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 100 V 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220-3

封裝：TO-220-3
10起
15000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH25N12U3SR

產(chǎn)品說(shuō)明：250V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

封裝：SMD
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH15N19U3SR

產(chǎn)品說(shuō)明：150V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

封裝：SMD
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH10N22U3SR

產(chǎn)品說(shuō)明：增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET，150°C、100V U3

封裝：SMD
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RCX450N20

產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 200 V 45A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM

封裝：TO-220-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 功率，單 N 溝道，SUPERFET V，易驅(qū)動(dòng)，TO247-3L 600 V，99 m，33 A

封裝：TO-247-3
10起
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 功率，單 N 溝道，D2PAK7 60 V，1.55 m，267 A

封裝：D2PAK-7
10起
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 功率，單 N 溝道 40 V，0.92 m，300 A

封裝：5-DFN
10起
15000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - N 溝道屏蔽柵 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封裝：TO-263-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STL175N4LF8AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝

封裝：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STL170N4LF8
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝

封裝：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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