NTH4L040N65S3F是一款由（onsemi）制造的650 V，65 A功率MOSFET，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻，以及更低門極電荷方面的卓越性能。此先進(jìn)技術(shù)專用于最大程度降低導(dǎo)電損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并且可以承受極端 dv/dt 速率。因此，NTH4L040N65S3F SUPERFET III MOSFET 適用于各種電源系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化和更高能效。

其關(guān)鍵參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：65A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：40 毫歐 @ 32.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：158 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5940 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：446W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用領(lǐng)域

NTH4L040N65S3F適用于需要高電壓和大電流處理的場合，如 直流-直流轉(zhuǎn)換器 、 電源管理 等應(yīng)用?。

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