IPD70R360P7S 是英飛凌推出的一款 N 溝道功率 MOSFET，基于先進的 Trench MOSFET 技術(shù)，融合了 700V CoolMOS? P7 超結(jié)技術(shù)，具備超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，專為高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。該產(chǎn)品廣泛適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，能夠顯著提升系統(tǒng)效率和功率密度。

技術(shù)參數(shù)——IPD70R360P7S

漏源電壓：700V

連續(xù)漏極電流：12.5A

導(dǎo)通電阻：360mΩ@10V,3A

柵極電荷：8.5nC

輸入電容：517pF

工作溫度范圍：-40℃~+150℃

封裝類型 ：TO-252-3

產(chǎn)品特性——IPD70R360P7S

?低導(dǎo)通損耗 ：極低的導(dǎo)通電阻，可降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。

?快速開關(guān)速度 ：適用于高頻工作環(huán)境，有助于減小磁性元件尺寸，實現(xiàn)更高功率密度。

?高耐壓能力 ：700V 耐壓，確保在高電壓應(yīng)用場景中的可靠性。

?出色的熱性能 ：優(yōu)化的封裝設(shè)計，能夠有效散熱，保證器件在高功率工作時的穩(wěn)定性。

?集成保護功能 ：內(nèi)置集成保護齊納二極管，增強器件的抗瞬態(tài)過壓能力。

優(yōu)勢——IPD70R360P7S

?成本競爭力的技術(shù)

?更低的溫度

?更高的靜電放電耐受性

?在更高開關(guān)頻率下實現(xiàn)效率提升

?支持高功率密度設(shè)計和小型化結(jié)構(gòu)

潛在應(yīng)用——IPD70R360P7S

?推薦用于反激式拓撲結(jié)構(gòu)，例如充電器、適配器、照明應(yīng)用等。

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