IPDD60R037CM8一款600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS? 7 MOSFET 系列（包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7）的后續(xù)產(chǎn)品。

它的柵極電荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%，關(guān)斷損耗 (Eoss) 比 CFD7 進(jìn)一步降低了 12%，反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 比 CFD7 降低了 3%，反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 也是市場上最低的。

參數(shù)描述

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HDSOP-10

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 72 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 37 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.7 V

Qg-柵極電荷: 79 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 416 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

系列: 600V CM8

配置: Single

下降時(shí)間: 5.8 ns

上升時(shí)間: 7.6 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 101.6 ns

典型接通延遲時(shí)間: 20.6 ns

潛在應(yīng)用

? 電源和轉(zhuǎn)換器

? PFC級和LLCresonant轉(zhuǎn)換器

? 高能效開關(guān)應(yīng)用

? 例如：服務(wù)器、電信、EVC 充電、UPS

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