IPDQ60T022S7是600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET，集成溫度傳感器，采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)，可提高結(jié)溫感應(yīng)精度。

IPDQ60T022S7產(chǎn)品屬性：

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HDSOP-22

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 150 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 416 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

系列: S7T

配置: Single

下降時間: 10 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 6 ns

工廠包裝數(shù)量: 750

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 142 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

IPDQ60T022S7特征描述：

優(yōu)化的性價比

專為低頻開關(guān)量身定制

減少寄生源電感

無縫診斷

精確、快速的長期監(jiān)控

大電流能力

增強(qiáng)保護(hù)

優(yōu)化熱器件利用率

尖端的頂部冷卻封裝

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