功率 MOSFET IQDH35N03LM5CG 30 V 采用 PQFN 5x6 mm2 降源封裝。該器件具有業(yè)界最低的 0.35 mΩ RDS(on)，同時具有出色的熱性能，便于功率損耗管理。這為各種終端應用帶來了更高的系統(tǒng)效率和功率密度，如高性能計算（如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和人工智能服務器群）中的 SMPS、電信電源和中間總線轉換。

特點

N 通道、對數(shù)級

極低的導通電阻 RDS（導通）

卓越的熱阻

通過 100% 老化測試

無鉛鍍層；符合 RoHS 標準

規(guī)格

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 700 A

Rds On-漏源導通電阻: 350 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 91 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 278 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

系列: OptiMOS 5

潛在應用

服務器

數(shù)據(jù)通信

高性能計算

電信

SMPS

擰緊

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