STL33N60DM6 N溝道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢復二極管特性系列的一個產(chǎn)品。與前一代MDmesh技術(shù)相比，DM6將極低恢復電荷 (Qrr)、極短恢復時間 (trr) 以及出色的導通電阻 (RDS(on))， 與行業(yè)里最高效的開關(guān)特性相結(jié)合，非常適合用于效率要求苛刻的橋式拓撲和ZVS（零電壓開關(guān)）移相轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：21A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：140 毫歐 @ 10.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（8x8）HV

封裝/外殼：8-PowerVDFN

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