STL57N65M5 是一款基于MDMESH?M5創(chuàng)新垂直工藝技術的N溝道功率MOSFET，結合了著名的PowerMesh?水平布局。該產品具有極低的導通電阻，特別適合需要高功率和高效率的應用。
產品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.3A（Ta），22.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：69 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4200 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），189W（Tc）
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼：8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數量
描述
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