CM300DY-13T 650V、T系列工業(yè)IGBT模塊配有三相轉(zhuǎn)換器、逆變器和制動電路（CIB），簡化了逆變器系統(tǒng)的設計。與現(xiàn)有模塊相比，CIB模塊的封裝尺寸減少了36%。T系列引入了使用CSTBT?和二極管生產(chǎn)的第7代IGBT，同時結(jié)合了陰極弛豫電場（RFC）結(jié)構(gòu)。新結(jié)構(gòu)消除了焊接連接部分，增加了熱循環(huán)壽命。

規(guī)格：

產(chǎn)品種類 ：IGBT 模塊

RoHS ： 詳細信息

產(chǎn)品 ：IGBT Silicon Modules

配置 ：2單元

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO ：650 V

集電極—射極飽和電壓 ：1.45 V

在25 C的連續(xù)集電極電流 ：300 A

柵極—射極漏泄電流 ：500 nA

Pd-功率耗散 ：2.205 kW

最小工作溫度 ：- 40°C

最大工作溫度 ：+ 150°C

商標 ：Mitsubishi Electric

柵極/發(fā)射極最大電壓 ：20 V

安裝風格 ：底座安裝

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