FZ1800R45HL4 是 IHV-B 4500 V、1800 A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，帶有溝槽/場截止 IGBT4、發(fā)射極受控 4 個二極管和隔離 AlSiC 底板 - 是工業(yè)應用的最佳解決方案。
FZ1800R45HL4 的特點
極低的靜態(tài)損耗
最高的動態(tài)魯棒性
高直流穩(wěn)定性
正溫度系數(shù)的低 VCEsat
FZ1800R45HL4 的優(yōu)點
無與倫比的魯棒性
首款在 525 kV 下支持 >3.5 GW 高壓直流電廠的模塊
功率密度提高 20%（與同類旗艦產品相比）
標準化外殼簡化了設計和維護
FZ1800R45HL4 的應用
高壓直流 (HVDC)
電機控制
輸配電
牽引
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S6E2H46G0AGB3000A：FM4 S6E2H系列MCU——160MHz，32位單核 Arm Cortex-M4微控制器（MCU），F(xiàn)BGA-121型號：S6E2H46G0AGB3000A封裝：FBGA-121類型：32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產品屬性：核心處理器：ARM Cortex-M4F內核規(guī)格：32 位單核速度：160MHz連接能力：C…
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅動標準MOSFET、超結MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側柵極驅動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關，采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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