全新150 V TrenchFET Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用PowerPAK SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。
與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而連續(xù)漏極電流增加了179 %。
日前發(fā)布的器件具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的導(dǎo)通電阻（10 V 時為 5.6 m?）以及導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積FOM（336 m?*nC），可最大限度降低傳導(dǎo)造成的功率損耗。因此，設(shè)計人員能夠提高效率，滿足下一代電源的要求，例如6 kW AI服務(wù)器電源系統(tǒng)。此外，PowerPAK SO-8S封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實現(xiàn)高達(dá)144 A的持續(xù)漏極電流，從而提高功率密度，同時提供強大的SOA能力。
SiRS5700DP非常適合同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換、熱插拔開關(guān)和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計算、超級計算機和數(shù)據(jù)存儲；通信電源；太陽能逆變器；電機驅(qū)動和電動工具；以及電池管理系統(tǒng)。MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試，符合IPC-9701標(biāo)準(zhǔn)，可實現(xiàn)更加可靠的溫度循環(huán)。器件的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封裝。
SiRS5700DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。更多信息請訪問 https://www.vishay.com/ ，
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時間：2025-06-16
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