最新資訊產(chǎn)品說(shuō)明：STMicroelectronics 650V HB 系列溝槽式柵極場(chǎng)終止型 IGBT 是采用先進(jìn)的、具有專利的溝槽式柵極和場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)的 IGBT。這些器件在傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗間取得最佳折中，使任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率實(shí)現(xiàn)最大化。憑借 ST 先進(jìn)的溝槽式柵極和場(chǎng)終止高速技術(shù)，這些 …
產(chǎn)品說(shuō)明：
STMicroelectronics 650V HB 系列溝槽式柵極場(chǎng)終止型 IGBT 是采用先進(jìn)的、具有專利的溝槽式柵極和場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)的 IGBT。這些器件在傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗間取得最佳折中，使任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率實(shí)現(xiàn)最大化。憑借 ST 先進(jìn)的溝槽式柵極和場(chǎng)終止高速技術(shù)，這些 IGBT 具有最低程度的集電極電流斷開(kāi)拖尾，以及非常低的飽和電壓（Vce(sat)）（典型值低至 1.6V），盡可能降低了開(kāi)關(guān)和打開(kāi)過(guò)程中的電能損耗。此外，微正的 VCE(sat) 溫度系數(shù)和非常緊密的參數(shù)分布實(shí)現(xiàn)了更為安全的并行工作。
HB2系列是先進(jìn)的專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的VCE(sat)行為，HB2系列的性能在傳導(dǎo)方面以及在降低開(kāi)關(guān)能量方面得到了優(yōu)化。僅用于保護(hù)目的的二極管與IGBT反向并聯(lián)封裝在一起。其結(jié)果是，該產(chǎn)品專為最大限度地提高各種快速應(yīng)用的效率而設(shè)計(jì)。
明佳達(dá)電子供應(yīng)/收購(gòu)STGWA30HP65FB2溝槽柵極場(chǎng)截止650 V、高速HB2系列IGBT
規(guī)格
技術(shù)：Si
封裝 / 箱體：TO-247-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：650 V
集電極—射極飽和電壓：1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
Pd-功率耗散：167 W
最小工作溫度：- 55°C
最大工作溫度：+ 175°C
封裝：Tube
商標(biāo)：STMicroelectronics
集電極最大連續(xù)電流 Ic：50 A
柵極—射極漏泄電流：250 nA
產(chǎn)品類型：IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量：600
子類別：IGBTs
單位重量：6.100 g
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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