深圳明佳達電子有限公司 供應 ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器深圳明佳達電子有限公司作為國內外電子元器件的領先分銷商，現(xiàn)備有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器庫存。產品概述與技術規(guī)格HMC521ALC4TR 是一款緊湊…
深圳明佳達電子有限公司 供應 ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器
深圳明佳達電子有限公司作為國內外電子元器件的領先分銷商，現(xiàn)備有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器庫存。
產品概述與技術規(guī)格
HMC521ALC4TR 是一款緊湊型砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC），采用相位差四象限（I/Q）混頻器設計，封裝于符合 RoHS 標準的 24 引腳陶瓷無引線芯片載體（LCC）中。HMC521ALC4TR 器件可作為圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器使用。HMC521ALC4TR 混頻器集成了兩個標準雙平衡混頻單元和一個 90° 混頻耦合器，所有組件均采用 GaAs 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MESFET）技術制造。HMC521ALC4TR 器件為混合型圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器提供了更緊湊的替代方案。HMC521ALC4TR 消除了對引線鍵合的需求，支持表面貼裝制造技術。
HMC521ALC4TR的關鍵技術規(guī)格：
頻率范圍：8.5 GHz至13.5 GHz
轉換損耗：典型值9 dB
圖像抑制：典型值27.5 dBc
本振與射頻隔離：典型值39 dB
輸入IP3：典型值16 dBm
中頻帶寬：直流至3.5 GHz
封裝尺寸：3.9 mm × 3.9 mm（16 mm2）LCC-24封裝
HMC521ALC4TR的產品特性與架構優(yōu)勢
HMC521ALC4TR采用砷化鎵金屬半導體場效應晶體管（MESFET）技術制造，集成了兩個標準雙平衡混頻器單元和一個90°混合耦合器。這種創(chuàng)新設計提供了多個顯著優(yōu)勢：
多功能應用：HMC521ALC4TR 可同時作為圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器使用，為系統(tǒng)設計提供高度靈活性。
緊湊型設計：HMC521ALC4TR 體積更小，可替代傳統(tǒng)混合圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件，特別適用于空間受限的應用場景。
表面貼裝兼容性：HMC521ALC4TR無需布線，可直接采用表面貼裝技術（SMT）制造，簡化生產流程并提升可靠性。
高性能指標：HMC521ALC4TR具備卓越的圖像抑制能力（27.5 dBc）和本振/射頻隔離性能（39 dB），確保系統(tǒng)信號處理的純凈度與穩(wěn)定性。
HMC521ALC4TR 的典型應用領域
微波和非常小孔徑終端（VSAT）無線電設備：在衛(wèi)星通信系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的頻率轉換功能。
測試和測量設備：為高頻測試儀器提供精確的信號處理能力。
軍事電子系統(tǒng)：
電子戰(zhàn)（EW）設備
電子對抗（ECM）系統(tǒng)
指揮、控制、通信與情報（C3I）系統(tǒng)
5G通信基礎設施：是5G芯片和通信IC產品線的重要組成部分。
航空航天系統(tǒng)：在雷達和導航等關鍵系統(tǒng)中發(fā)揮著至關重要的作用。
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