最新資訊產(chǎn)品概述BSC028N06LS3G是英飛凌OptiMOS?3系列中的一款60V N溝道功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封裝，具有2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和100A連續(xù)漏極電流能力，專為高頻開關(guān)電源、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件通過優(yōu)化開關(guān)性能和導(dǎo)通損耗，顯著提升系統(tǒng)能效…
產(chǎn)品概述
BSC028N06LS3G是英飛凌OptiMOS?3系列中的一款60V N溝道功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封裝，具有2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和100A連續(xù)漏極電流能力，專為高頻開關(guān)電源、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件通過優(yōu)化開關(guān)性能和導(dǎo)通損耗，顯著提升系統(tǒng)能效，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、電信設(shè)備及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域。
核心特性 BSC028N06LS3G
超低導(dǎo)通電阻：2.8mΩ@VGS=10V，大幅降低傳導(dǎo)損耗。
高品質(zhì)因數(shù)(FOM)：RDS(on)×Qg=28mΩ×nC，實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)。
100%雪崩測(cè)試，確保極端條件下的可靠性。
低柵極電荷(Qg)：典型值28nC，降低驅(qū)動(dòng)損耗。
快速開關(guān)速度：上升時(shí)間17ns，下降時(shí)間19ns，提升高頻應(yīng)用效率。
低反向恢復(fù)電荷(Qrr)，改善EMI性能。
PG-TDSON-8封裝：優(yōu)化熱阻(RthJC=0.75K/W)。
175°C最高結(jié)溫，適應(yīng)嚴(yán)苛工作環(huán)境。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素設(shè)計(jì)。
工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C，適用于汽車及工業(yè)應(yīng)用。
關(guān)鍵參數(shù) BSC028N06LS3G
漏源電壓(Vdss)：60V
連續(xù)漏極電流(Id)：100A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：2.8mΩ
柵極電荷(Qg)：28nC
輸入電容(Ciss)：13000pF
開關(guān)時(shí)間(tr/tf)：17ns / 19ns
最大功耗(Pd)：2.5W (Ta), 139W (Tc)
封裝類型：PG-TDSON-8 (6.1mm×5.35mm)
應(yīng)用 BSC028N06LS3G
汽車電池管理系統(tǒng)（BMS）
家用機(jī)器人
先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，助力構(gòu)建新型數(shù)字化、超互聯(lián)醫(yī)療生態(tài)系統(tǒng)
明佳達(dá)電子的供應(yīng)優(yōu)勢(shì)
大量現(xiàn)貨供應(yīng) ：深圳明佳達(dá)電子擁有充足的 BSC028N06LS3G 庫存，能夠滿足客戶的批量采購需求，確保及時(shí)交付。
原裝正品保障 ：作為專業(yè)的電子元器件分銷商，明佳達(dá)電子提供的 BSC028N06LS3G 均為原裝正品，確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
靈活的服務(wù)模式 ：明佳達(dá)電子提供靈活的采購方式，無論是小批量試產(chǎn)還是大批量生產(chǎn)，都能為客戶提供個(gè)性化的服務(wù)，滿足不同客戶的需求。
聯(lián)系方式
如果您對(duì)英飛凌 N 溝道功率 MOSFET BSC028N06LS3G 感興趣或有采購需求，歡迎隨時(shí)聯(lián)系：
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