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英飛凌推出用于電動(dòng)汽車的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片

英飛凌推出用于電動(dòng)汽車的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片

來源:本站時(shí)間:2025-06-19瀏覽數(shù):

隨著純電動(dòng)汽車(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)銷量的快速增長(zhǎng),電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年,電動(dòng)汽車的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右。為滿足對(duì)高壓汽車IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體…

隨著純電動(dòng)汽車(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)銷量的快速增長(zhǎng),電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年,電動(dòng)汽車的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右。為滿足對(duì)高壓汽車IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代產(chǎn)品,包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 EDT3(第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng))芯片,以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動(dòng)系統(tǒng)的性能,尤其適用于汽車應(yīng)用。


EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提供高質(zhì)量而可靠的性能而設(shè)計(jì),助力客戶開發(fā)定制功率模塊。新一代EDT3較EDT2 有了顯著的進(jìn)步,其在高負(fù)載下的總損耗減少了20%,同時(shí)保持了低負(fù)載下的效率。這一進(jìn)步得益于大幅減少芯片損耗和提高最高結(jié)溫的優(yōu)化措施,使得芯片在高負(fù)載性能和低負(fù)載效率之間實(shí)現(xiàn)了平衡。因此,使用EDT3芯片的電動(dòng)汽車能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程并降低能耗,從而提供更加可持續(xù)且經(jīng)濟(jì)高效的行駛體驗(yàn)。


英飛凌科技汽車高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示:“作為領(lǐng)先的IGBT技術(shù)供應(yīng)商,英飛凌致力于提供性能與可靠性出眾的產(chǎn)品。EDT3解決方案基于我們對(duì)創(chuàng)新與低碳化的不懈追求,助力客戶在其諸多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)理想的結(jié)果?!?/span>


EDT3芯片組提供750 V和1200 V兩種電壓等級(jí),其輸出電流高,適合純電動(dòng)汽車、插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車、增程式電動(dòng)汽車(REEV)等各種電動(dòng)汽車中的主逆變器應(yīng)用。產(chǎn)品縮小了芯片尺寸并優(yōu)化了設(shè)計(jì),便于制造更小的模塊,降低了整體系統(tǒng)成本。此外,其最大虛擬結(jié)溫為185°C,最大集電極-發(fā)射極額定電壓為750 V和1200 V,適合高性能應(yīng)用。通過該產(chǎn)品,汽車制造商能設(shè)計(jì)出更加高效、可靠的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng),幫助延長(zhǎng)行駛里程并減少排放。


臻驅(qū)科技創(chuàng)始人兼總經(jīng)理沈捷博士表示:“英飛凌作為臻驅(qū)科技的主要 IGBT 芯片供應(yīng)商和合作伙伴,始終如一地為我們提供實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)的創(chuàng)新解決方案。最新的EDT3芯片優(yōu)化了損耗和損耗分布,支持更高的工作溫度,并提供多種金屬化選項(xiàng)。這些特性不僅減少了每安培所需的硅片面積,還加速了先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用。'


1200 V RC-IGBT 通過在單芯片上集成IGBT 和二極管功能提升了性能,與分離的 IGBT 和二極管芯片組解決方案相比,實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度。這一進(jìn)步帶來了系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì),得益于更高的電流密度、可擴(kuò)展的芯片尺寸以及降低的組裝工作量


英飛凌最新的EDT3 IGBT芯片技術(shù)現(xiàn)已集成到 HybridPACK? Drive G2汽車功率模塊中,為整個(gè)模塊產(chǎn)品組合提供更強(qiáng)大的性能與功能。該模塊在750 V和1200 V功率等級(jí)下可提供最高250 kW 的功率范圍,提高了易用性。其下一代相電流傳感器集成選項(xiàng)、片上溫度傳感器等新功能有助于降低系統(tǒng)成本。


所有芯片產(chǎn)品均提供定制芯片布局,包括片上溫度和電流傳感器。此外,英飛凌還可根據(jù)要求提供適用于燒結(jié)、焊接和鍵合的金屬化選項(xiàng)。


供貨情況

EDT3和RC-IGBT新品現(xiàn)已提供樣品。


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