深圳市明佳達電子有限公司【供應(yīng)】ON IGBT 溝槽型場截止 FGH60T65SQD-F155 650 V 120 A 333 W 通孔 TO-247-3。詳細：FGH60T65SQD-F155安森美半導體的新系列場截止第四代IGBT采用新穎的場截止IGBT技術(shù)，提供最佳的場截止性能。該器件為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信、…
深圳市明佳達電子有限公司【供應(yīng)】ON IGBT 溝槽型場截止 FGH60T65SQD-F155 650 V 120 A 333 W 通孔 TO-247-3。
詳細：
FGH60T65SQD-F155安森美半導體的新系列場截止第四代IGBT采用新穎的場截止IGBT技術(shù)，提供最佳的場截止性能。該器件為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信、ESS及PFC提供最佳性能。
特性
最高結(jié)溫TJ =175°C
具有正溫度系數(shù)，便于并聯(lián)工作
大電流能力
低飽和電壓VCE(sat) =1.6V（典型值，IC=60A時）
零件100%經(jīng)過ILM(1) 測試
高輸入阻抗
快速開關(guān)
精確的參數(shù)分配
符合RoHS指令
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