最新資訊深圳市明佳達(dá)電子提供英飛凌N 溝道功率 MOSFET（IPW60R120P7）600V CoolMOS? P7 超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET，CoolMOS? 第 7 代平臺(tái)同類最佳的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了它的高效率。功能概述特點(diǎn)-適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)（PFC 和 LLC），具有出色的換向強(qiáng)度-顯著降…
深圳市明佳達(dá)電子提供英飛凌N 溝道功率 MOSFET（IPW60R120P7）600V CoolMOS? P7 超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET，CoolMOS? 第 7 代平臺(tái)同類最佳的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了它的高效率。
功能概述
特點(diǎn)
-適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)（PFC 和 LLC），具有出色的換向強(qiáng)度
-顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
-對(duì)所有產(chǎn)品而言，ESD 穩(wěn)定性均優(yōu)于 2kV（HBM）
-較低的 RDS(on)*A（低于 1 歐姆*mm2）使 RDS(on)/封裝產(chǎn)品優(yōu)于同類產(chǎn)品
-通過 JEDEC 工業(yè)應(yīng)用認(rèn)證
優(yōu)點(diǎn)
-通過在全功率變流器和全功率調(diào)制器級(jí)之間降低繞組頻率和使用率，實(shí)現(xiàn)輕松使用和快速設(shè)計(jì)
-簡(jiǎn)化了熱管理，從而降低了開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
-通過使用具有更小尺寸和更大尺寸的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了功率密度更高的解決方案。
通過使用具有更小尺寸和更高制造質(zhì)量的產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)更高的功率密度解決方案，從而實(shí)現(xiàn)>2kVESD 保護(hù)
-適用于各種應(yīng)用和功率范圍
潛在應(yīng)用
PFC 級(jí)、硬開關(guān) PWM 級(jí)和諧振開關(guān)級(jí)，例如 PCSilverbox、適配器、LCD&PDPTV、照明、服務(wù)器、電信和 UPS。
參數(shù)：IPW60R120P7
ID (@25°C) 最大： 29 A
ID 最大： 29 A
IDpuls 最大： 78 A
安裝： THT
工作溫度 最小值 最大值： -55 °C 150 °C
最大功率： 95 W
封裝： TO247
引腳數(shù)： 3 引腳
極性： N
QG（典型值 @10V）： 36 nC
QG： 36 nC
Qgd： 11 nC
RDS (接通) (@10V) 最大： 120 mΩ
RDS (接通) 最大值： 120 mΩ
Rth： 1.31 K/W
RthJA 最大： 62 K/W
RthJC 最大： 1.31 K/W
VDS 最大： 600 V
VGS(th) 最小值 最大值： 3.5 V 3 V 4 V
時(shí)間：2025-05-15
時(shí)間：2025-05-15
時(shí)間：2025-05-15
時(shí)間：2025-05-14
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