深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25C），HiP247封裝SCTW100N65G2AG產(chǎn)品概述描述該碳化硅功率MOSFET晶體管采用ST先進(jìn)、創(chuàng)新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。器件具有每區(qū)域…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封裝
SCTW100N65G2AG產(chǎn)品概述
描述
該碳化硅功率MOSFET晶體管采用ST先進(jìn)、創(chuàng)新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。器件具有每區(qū)域超低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和卓越的開關(guān)性能。RDS(on) 和開關(guān)損耗的變化受工作結(jié)溫的影響都非常小。
所有功能
專為汽車應(yīng)用而設(shè)計
導(dǎo)通電阻隨溫度變化敏感溫度
穩(wěn)定的超快速本體二極管
適應(yīng)非常高的工作溫度 (TJ = 200 °C)
低電容
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: HiP-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 69 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 162 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 200 C
Pd-功率耗散: 420 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: SCTW100N65G2AG
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 4.500 g
公司高價回收IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級碳化硅功率MOSFET，只收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。
如有需求，歡迎致電咨詢陳先生：
QQ：1668527835
電話：13410018555
郵箱：chen13410018555@163.com
公司網(wǎng)址：rollmke.com
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![[供應(yīng)] TI 音頻放大器（TPA3128D2DAPR）30W 立體聲模擬輸入 D 類音頻放大器](/upload/202505/14/202505141447455224.png)
