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  • 晶體管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管

    晶體管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管

    深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝英飛凌晶體管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3英飛凌對諧振大功率拓?fù)涞慕獯?00V CoolMOS? CFD7 是英飛凌推出的新型高壓超結(jié) MOSFET 技術(shù),具有集成快速體二極管,完善了CoolMOS? 7系列。…

    來源:本站 時間:2025-01-20 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5

    第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5

    第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。描述:IKW75N65EH5是一款 650 V、75 A IGBT,采用快速軟反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝。它具有開關(guān)損耗低、效…

    來源:本站 時間:2025-01-20 所屬欄目:公司動態(tài)
  • INFINEON IPP051N15N5 150V N 溝道 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 晶體管

    INFINEON IPP051N15N5 150V N 溝道 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 晶體管

    深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) INFINEON IPP051N15N5 150V N 溝道 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 晶體管IPP051N15N5 的產(chǎn)品說明IPP051N15N5 OptiMOS? 5 150 V 功率 MOSFET 特別適用于低壓驅(qū)動(如叉車和電動摩托車)以及電信和太陽能應(yīng)用。IPP051N15N5 在不影響 FOM gd 和 FO…

    來源:本站 時間:2025-01-20 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 供應(yīng) Marvell 線性驅(qū)動器:長途/地鐵、數(shù)據(jù)中心內(nèi)部

    供應(yīng) Marvell 線性驅(qū)動器:長途/地鐵、數(shù)據(jù)中心內(nèi)部

    深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) Marvell 線性驅(qū)動器:長途/地鐵、數(shù)據(jù)中心內(nèi)部深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件經(jīng)銷商,長期備有大量現(xiàn)貨庫存,主要經(jīng)營:集成電路IC、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)芯片、藍(lán)牙芯片、汽車芯片、人工智能IC、以太網(wǎng)IC、內(nèi)存芯片…

    來源:本站 時間:2025-01-20 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 出售 [NXP] MC56F8037VLHR 56800E 內(nèi)核——16 位數(shù)字信號控制器 (DSC)

    出售 [NXP] MC56F8037VLHR 56800E 內(nèi)核——16 位數(shù)字信號控制器 (DSC)

    深圳市明佳達(dá)電子有限公司:出售 [NXP] MC56F8037VLHR 56800E 內(nèi)核——16 位數(shù)字信號控制器 (DSC)MC56F8037VLHR 是基于 56800E 內(nèi)核的數(shù)字信號控制器 (DSC) 系列中的一員。它將 DSP 的處理能力、微控制器的功能和靈活的外設(shè)組合在一個芯片上,創(chuàng)造出極具成本效益的解決方…

    來源:本站 時間:2025-01-20 所屬欄目:公司動態(tài)
  • LPC802M001JHI33基于Arm Cortex-M0+內(nèi)核的微控制器(MCU)

    LPC802M001JHI33基于Arm Cortex-M0+內(nèi)核的微控制器(MCU)

    概述LPC802M001JHI33是一款基于Arm Cortex-M0+的高性價比32位MCU,工作頻率高達(dá)15 MHz。LPC80x MCU 系列支持高達(dá) 32 KB 的閃存和 4 KB 的 SRAM。該系列配備功耗優(yōu)化的內(nèi)核,采用流行的小規(guī)格封裝,單獨(dú)的電源軌可支持電平移動。技術(shù)參數(shù)核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)…

    來源:本站 時間:2025-01-18 所屬欄目:公司動態(tài)
  • Infineon(IRFH5215TRPBF)150V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

    Infineon(IRFH5215TRPBF)150V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

    產(chǎn)品說明IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件,采用PQFN 5x6封裝,屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(on)和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用…

    來源:本站 時間:2025-01-18 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 介紹一款(Mitsubishi)CM225DX-24S1 IGBT模塊 1200 V 225 A

    介紹一款(Mitsubishi)CM225DX-24S1 IGBT模塊 1200 V 225 A

    ?介紹CM225DX-24S1是一款由三菱電機(jī)(Mitsubishi Electric)生產(chǎn)的IGBT模塊,主要用于高功率開關(guān)應(yīng)用。?技術(shù)參數(shù)?額定功率?:1250W?額定電壓?:1200V額定電流:225A最高工作溫度:175C主要特點(diǎn)產(chǎn)品陣容中新增內(nèi)置三相轉(zhuǎn)換器、逆變器和制動電路(CIB)的產(chǎn)品,有助于…

    來源:本站 時間:2025-01-18 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 瑞薩微控制器 MCU R7FS5D37A3A01CFP 32 位單核 120MHz 512KB 閃存 MCU

    瑞薩微控制器 MCU R7FS5D37A3A01CFP 32 位單核 120MHz 512KB 閃存 MCU

    瑞薩微控制器 MCU R7FS5D37A3A01CFP 32 位單核 120MHz 512KB 閃存 MCUR7FS5D37A3A01CFP 的產(chǎn)品說明R7FS5D37A3A01CFP MCU 采用高性能 Arm Cortex-M4 內(nèi)核,運(yùn)行頻率高達(dá) 120 MHz。S5D3 為 S5 MCU 系列增添了一個新的層級,適用于需要高性能 Cortex-M4F 內(nèi)核、價格極具吸引…

    來源:本站 時間:2025-01-18 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 供應(yīng) Marvell Coherent 數(shù)字信號處理器 產(chǎn)品:Orion?, Canopus?,Deneb?。

    供應(yīng) Marvell Coherent 數(shù)字信號處理器 產(chǎn)品:Orion?, Canopus?,Deneb?。

    深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) Marvell Coherent 數(shù)字信號處理器 產(chǎn)品:Orion?, Canopus?,Deneb?。深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件經(jīng)銷商,長期備有大量現(xiàn)貨庫存,主要經(jīng)營:集成電路IC、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)芯片、藍(lán)牙芯片、汽車芯片、人工智能…

    來源:本站 時間:2025-01-18 所屬欄目:公司動態(tài)
  • 明佳達(dá)電子——供應(yīng) [ON] NCV885201D1R2G 非同步降壓控制器

    明佳達(dá)電子——供應(yīng) [ON] NCV885201D1R2G 非同步降壓控制器

    明佳達(dá)電子——供應(yīng) [ON] NCV885201D1R2G 非同步降壓控制器[ON] NCV885201D1R2G——P通道、100%占空比、非同步降壓型控制器,汽車級NCV885201D1R2G 是一款可調(diào)節(jié)輸出非同步降壓控制器,驅(qū)動外部 P 溝道 MOSFET。該器件使用峰值電流模式控制,帶有內(nèi)部斜率補(bǔ)償。該集成電路…

    來源:本站 時間:2025-01-18 所屬欄目:公司動態(tài)
  • Infineon BSM150GB120DN2 IGBT 模塊 半橋 1200 V 210 A 1250 W

    Infineon BSM150GB120DN2 IGBT 模塊 半橋 1200 V 210 A 1250 W

    概述?BSM150GB120DN2是英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的一款I(lǐng)GBT模塊,主要用于高電壓、大電流的應(yīng)用場景?。該模塊屬于半橋配置,包含快速續(xù)流二極管,并使用絕緣金屬基板進(jìn)行封裝?。規(guī)格IGBT 類型:-配置:半橋電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大…

    來源:本站 時間:2025-01-17 所屬欄目:公司動態(tài)
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