TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。

TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝，具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。

產(chǎn)品屬性

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：6.5 A

Rds On-漏源導通電阻：312 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 12 V, + 12 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.8 V

Qg-柵極電荷：8.8 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 150 C

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：PQFN-8

Pd-功率耗散：21 W

通道模式：Enhancement

配置：Cascode

下降時間：4.8 ns

產(chǎn)品類型：GaN FETs

上升時間：4.6 ns

技術：GaN

晶體管類型：GaN HEMT

典型關閉延遲時間：27.4 ns

典型接通延遲時間：33 ns

應用場景

TP65H300G4LSGB主要用于消費類電子、電源適配器、低功耗SMPS及照明設備。

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