STM8L151G6U7TR：16MHz、低功耗8位微控制器MCU，UFQFN-28

概述：

STM8L151G6U7TR——超低功耗8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM。STM8L151G6U7TR 是 STM8L 超低功耗 8 位系列的成員。中密度 STM8L15x 系列的工作電壓為 1.8 V 至 3.6 V（掉電時低至 1.65 V），工作溫度范圍為 -40 至 +85 °C，以及 -40 至 +125 °C。

STM8L151G6U7TR 規(guī)格參數(shù)：

系列：STM8L EnergyLite

核心處理器：STM8

內(nèi)核規(guī)格：8 位

速度：16MHz

I/O 數(shù)：26

程序存儲容量：32KB（32K x 8）

程序存儲器類型：閃存

EEPROM 容量：1K x 8

RAM 大小：2K x 8

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 18x12b; D/A 1x12b

振蕩器類型：內(nèi)部

工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：28-UFQFPN（4x4）

封裝/外殼：28-UFQFN

STM8L151G6U7TR 產(chǎn)品特性：

工作條件

工作電源范圍 1.8 V 至 3.6 V（掉電時降至 1.65 V）

溫度范圍：- 40 °C 至 85、105 或 125 °C

低功耗特性

5 種低功耗模式： 等待、低功耗運(yùn)行 (5.1 μA)、低功耗等待 (3 μA)、帶全 RTC 的主動暫停 (1.3 μA)、暫停 (350 nA)

消耗： 195 μA/MHz + 440 μA

每個 I/0 的超低漏電：50 nA

從 Halt 快速喚醒：4.7 μs

先進(jìn)的 STM8 內(nèi)核

哈佛架構(gòu)和 3 級流水線

最大頻率 16 MHz，峰值 16 CISC MIPS

多達(dá) 40 個外部中斷源

存儲器

多達(dá) 32 Kbytes 的閃存程序存儲器和 1 Kbyte 的數(shù)據(jù) EEPROM，帶 ECC、RWW

靈活的寫保護(hù)和讀保護(hù)模式

多達(dá) 2 Kbytes 的 RAM

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