BSC050NE2LS 是 N溝道增強型功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 5 系列。該器件采用 PG-TDSON-8 封裝，具有 超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)） 和 高電流承載能力，適用于高效率電源管理、電機驅(qū)動、服務(wù)器VRM（電壓調(diào)節(jié)模塊）等應(yīng)用。

BSC050NE2LS 的特性

低導(dǎo)通電阻：4.2mΩ @ 10V VGS（最大值 5mΩ @ 30A），顯著降低功率損耗。

連續(xù)漏極電流（ID）：39A（Ta） / 58A（Tc）。

峰值脈沖電流（IDRM）：232A（短時脈沖）。

低柵極電荷（Qg）：10.4nC @ 10V，減少開關(guān)損耗。

上升時間 2.2ns，下降時間 2ns，適合高頻應(yīng)用。

工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C（TJ）。

符合AEC-Q101汽車級認證，適用于嚴苛環(huán)境。

緊湊封裝：PG-TDSON-8（5×6mm） 表面貼裝封裝，適合高密度PCB設(shè)計。

BSC050NE2LS 規(guī)格參數(shù)

品牌：Infineon（英飛凌）

封裝：PG-TDSON-8（5×6mm）

通道類型：N溝道增強型

漏源電壓（VDS）： 25V

連續(xù)漏極電流（ID）： 39A（Ta） / 58A（Tc）

導(dǎo)通電阻（RDS(on)） ：4.2mΩ @ 10V（典型值），5mΩ @ 10V（最大值）

柵極電荷（Qg）： 10.4nC @ 10V

輸入電容（Ciss）： 760pF @ 12V

柵源電壓（VGS）： ±20V（最大）

閾值電壓（VGS(th)）： 2V @ 250μA

最大功率耗散（PD）： 2.5W（Ta） / 28W（Tc）

開關(guān)時間：上升時間 2.2ns，下降時間 2ns

工作溫度范圍： -55°C ~ +150°C（TJ）

符合標準：RoHS、無鉛、AEC-Q101（汽車級）

包裝方式：卷帶（Tape & Reel）

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