CY7S1061GE-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM，按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時(shí)間（10 ns）和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE-10ZXI 器件的睡眠模式電流低至 45 μA，在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件還具有嵌入式 ECC 功能。ECC 邏輯可檢測并糾正訪問位置中的單位錯(cuò)誤。CY7S1061GE-10ZXI 器件包含一個(gè)ERR 引腳，可在讀取周期內(nèi)發(fā)出錯(cuò)誤檢測和糾正事件信號(hào)。

CY7S1061GE-10ZXI 的特點(diǎn)

高速

tAA = 10 ns

超低功耗 PowerSnooze? 器件

深度睡眠 (DS) 電流 IDS = 45 μA 最大值

低活動(dòng)和待機(jī)電流

ICC = 90-mA 典型值

ISB2 = 20-mA 典型值

寬工作電壓范圍： 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和 4.5 V 至 5.5 V

嵌入式糾錯(cuò)碼 (ECC)，用于單位糾錯(cuò)

1.0 V 數(shù)據(jù)保持

晶體管晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出

錯(cuò)誤指示 (ERR) 引腳，用于指示 1 位錯(cuò)誤檢測和糾正

提供無鉛和錫/鉛 48 球 VFBGA 封裝 

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。