APTM50H15FT1G是一款由Microchip推出的功率模塊，主要用于全橋式MOSFET功率模塊應(yīng)用。該模塊采用SP1封裝，這種封裝設(shè)計(jì)有助于減少寄生電感，提高開(kāi)關(guān)速度?。

APTM50H15FT1G的技術(shù)規(guī)格

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：4 N 溝道（全橋）

FET 功能：-

漏源電壓（Vdss）：500V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 21A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：170nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5448pF @ 25V

功率 - 最大值：208W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

應(yīng)用范圍

APTM50H15FT1G適用于開(kāi)關(guān)電源、工業(yè)應(yīng)用和電機(jī)控制等領(lǐng)域?。

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