SCTWA35N65G2V-4是一款650V碳化硅功率MOSFET，采用ST先進(jìn)創(chuàng)新的第二代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該器件具有非常低的單位面積導(dǎo)通電阻和非常好的開關(guān)性能。這些特性使得SCTWA35N65G2V-4適用于各種高功率應(yīng)用，如工業(yè)、照明和控制、電源與轉(zhuǎn)換器、能源生產(chǎn)和分配等領(lǐng)域?

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：SCTWA35N65G2V-4

封裝 / 箱體：HiP-247-4

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：45 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：67 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：5 V

Qg-柵極電荷：73 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 200 C

Pd-功率耗散：240 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：14 ns

封裝：Tube

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：9 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns

典型接通延遲時(shí)間：16 ns

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