IMBG65R060M2H是一款CoolSiC? 650 V G2 碳化硅MOSFET，采用TO-263-7封裝??。IMBG65R060M2H具有出色的RDS(on)特性，支持無極驅(qū)動(dòng)電壓，具有最佳的免疫能力，防止開啟效應(yīng)?。此外，IMBG65R060M2H支持單極驅(qū)動(dòng)（VGSoff=0），適用于多種應(yīng)用場景?。

IMBG65R060M2H 規(guī)格

封裝 / 箱體：PG-TO263-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：34.9 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：73 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：18 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：148 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：4.8 ns

封裝：Reel

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：5.6 ns

系列：650V G2

晶體管類型：1 N-Channel

類型：CoolSiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.7 ns

典型接通延遲時(shí)間：6.3 ns

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