IMDQ65R010M2H是（Infineon）推出的一款CoolSiC? MOSFET，屬于650V G2系列產(chǎn)品，采用Q-DPAK封裝，具備頂面冷卻功能??。IMDQ65R010M2H利用了第二代CoolSiC?技術(shù)的優(yōu)越開關(guān)性能，提供了頂面冷卻的優(yōu)勢，進一步提升了系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

應(yīng)用場景

IMDQ65R010M2H適用于各種工業(yè)應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信、電機驅(qū)動等高電流和低電容的場景。其優(yōu)化的開關(guān)行為使得它在這些應(yīng)用中表現(xiàn)出色?。

基本參數(shù)

產(chǎn)品：IMDQ65R010M2H

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：154 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：13.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：113 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：651 W

通道模式：Enhancement

商標：Infineon Technologies

配置：Single

下降時間：9.4 ns

封裝/箱體：HDSOP-22

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：24 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：30 ns

典型接通延遲時間：16 ns

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