NTH4L075N065SC1（SiC）MOSFET采用TO-247-4L封裝，用于實(shí)現(xiàn)快速而堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。該器件具有10倍介電擊穿場強(qiáng)和2倍電子飽和速度，還具有3倍能量帶隙和3倍熱導(dǎo)率。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 15A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1196 pF @ 325 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：148W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

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