SCT10N120AG 1200V 12A 碳化硅 (SiC) MOSFET采用HiP247封裝，具有出色的開關(guān)性能，以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高溫度額定值，可改進(jìn)電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。應(yīng)用包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：690 毫歐 @ 6A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：290 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)：SCT10

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