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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):SCTL35N65G2V

商品名稱:SCTL35N65G2V

數(shù)據(jù)手冊(cè):SCTL35N65G2V.pdf

品牌:ST

年份:23+

封裝:PowerFLAT

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ST
型號(hào)
SCTL35N65G2V
封裝
PowerFLAT
描述
表面貼裝型 N 通道 650V 40A(Tc) 417W(Tc) PowerFlat?(8x8)HV

產(chǎn)品描述

SCTL35N65G2V 650V 碳化硅功率MOSFET具有67m?(典型值)和40A(額定值)特性。該器件將寬禁帶材料的先進(jìn)性和可靠性引入到更廣泛的節(jié)能應(yīng)用中,如用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高效驅(qū)動(dòng)器、電源和智能電網(wǎng)設(shè)備的逆變器。與硅MOSFET相比,SiC MOSFET的開關(guān)損耗更低,且隨溫度的變化更小。


產(chǎn)品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):67毫歐 @ 20A,20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):73 nC @ 20 V

Vgs(最大值):+22V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 400 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):417W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV

封裝/外殼:8-PowerVDFN

基本產(chǎn)品編號(hào):SCTL35


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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…

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