IXYA30N120A4HV 溝槽型1200V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術和最先進的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。器件具有低熱阻、低能耗、快速開關、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開關和短路條件下具有出色的耐用性。

產品規(guī)格：

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：106 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：184 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A

功率 - 最大值：500 W

開關能量：4mJ（開），3.4mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：57 nC

25°C 時 Td（開/關）值：15ns/235ns

測試條件：960V，25A，5 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：42 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

供應商器件封裝：TO-263HV

基本產品編號：IXYA30

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