NTP125N65S3H SuperFET? III MOSFET是650V高壓超結 (SJ) N溝道MOSFET，旨在滿足電信、服務器、電動汽車 (EV) 充電器和太陽能產(chǎn)品的高功率密度、系統(tǒng)效率和超高可靠性要求。此器件擁有出色的可靠性、低電磁干擾、超高的效率和卓越的熱性能，是高性能應用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：171W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220-3

封裝/外殼：TO-220-3

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