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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IPD35N10S3L26ATMA1

商品名稱:IPD35N10S3L26ATMA1

數(shù)據(jù)手冊:IPD35N10S3L26ATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-252-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPD35N10S3L26ATMA1
封裝
TO-252-3
描述
N溝道晶體管100 V 35A (Tc) 71W (Tc) 表面貼裝

產(chǎn)品描述

N通道IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽車級MOSFET晶體管 TO-252-3


規(guī)格

晶體管極性: N-溝道

通道數(shù): 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓:100V

Id - 連續(xù)漏極電流:35 A

Rds On - 漏極-源極電阻:20 mOhms

Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:1.2 V

Qg - 柵極電荷: 39 nC

最低工作溫度:- 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率耗散: 71 W

通道模式: 增強(qiáng)型


產(chǎn)品說明

IPD35N10S3L26ATMA1是OptiMOS?-T功率晶體管,優(yōu)化了總柵極電荷,可用于較小的驅(qū)動輸出級。


特點(diǎn)

N溝道 - 增強(qiáng)模式

100%雪崩測試

175°C工作溫度

最大電流可達(dá)180A

MSL1峰值返回溫度高達(dá)260°C

低開關(guān)功率和傳導(dǎo)功率損耗,熱效率高


相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT? 5x6

15000

汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝

STW40N95K5

ST

TO-247

8000

N溝道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封裝

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N溝道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封裝

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N溝道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封裝

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 溝道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET

MRH10N22U3SR

Microchip

SMD

3000

增強(qiáng)型 N 溝道抗輻射MOSFET,150°C、100V U3

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

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  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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