IQD020N10NM5SC是OptiMOS? 功率 MOSFET 100 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。

功率 MOSFET IQD020N10NM5SC 具有 2,05 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。此外，采用雙面冷卻封裝后，耗散功率是包覆封裝的五倍。

產(chǎn)品特征

尖端的 100 V 硅技術(shù)

出色的 FOM

改進(jìn)的熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

應(yīng)用領(lǐng)域

低壓驅(qū)動(dòng)

多軸飛行器

汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)

輕型電動(dòng)車

太陽能系統(tǒng)解決方案

IQD020N10NM5SC產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-WHSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 276 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.05 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.8 V

Qg-柵極電荷: 107 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

配置: Single

下降時(shí)間: 7 ns

上升時(shí)間: 6 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 28 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

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