功率 MOSFET IQDH88N06LM5CGSC 具有 0.86 mOhm 的低 RDS(on)，同時具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。

產(chǎn)品特性

N 溝道，邏輯電平

極低的導通電阻 RDS(on)

出色的熱阻

優(yōu)化的雙面冷卻設計

100% 通過雪崩測試

無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準

IQDH88N06LM5CGSC表面貼裝型 N 通道 60 V 42A（Ta），447A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

產(chǎn)品規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 42A（Ta），447A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 0.86 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.3V @ 163μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 95 nC @ 4.5 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 14000 pF @ 30 V  

功率耗散（最大值） ：3W（Ta），333W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ） 

應用領域

50 kW 至 350 kW 的充電器

低壓驅(qū)動

電動工具

電源

計算和數(shù)據(jù)存儲

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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