IMW120R350M1H采用TO247-3封裝的1200 V、350 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。

產(chǎn)品屬性

系列： CoolSiC?  

包裝： 管件 

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：4.7A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 455 毫歐 @ 2A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 5.3 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-7V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 182 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 60W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝 ：PG-TO247-3-41  

封裝/外殼 ：TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： IMW120

潛在應用

能源生產(chǎn)

太陽能組串逆變器和太陽能優(yōu)化器

工業(yè)電源

工業(yè)用UPS

工業(yè)用SMPS

基礎設施--充電

充電器

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