GS-065-008-6-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開(kāi)關(guān)頻率等特性。

GS-065-008-6-L-MR采用底部冷卻 PDFN 封裝，結(jié)殼熱阻極低，非常適合要求苛刻的大功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起，確保了極高的功率開(kāi)關(guān)效率。

型號(hào): GS-065-008-6-L-MR

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PDFN-6

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 700 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 235 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 7 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.6 V

Qg-柵極電荷: 1.6 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 8 ns

最大工作頻率: > 1 MHz

最小工作頻率: 0 Hz

aN F上升時(shí)間: 4.8 ns

技術(shù): GaN-on-Si

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 6 ns

典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns

應(yīng)用領(lǐng)域

AC-DC

USB供電-USB PD適配器和充電器

電源

計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

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