商品名稱：碳化硅 MOSFET 模塊
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：模塊
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
FF55MR12W1M1HB70 是 1200V 55mΩ EasyDUAL? 1B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊，采用 PressFit 觸點技術和 AlN 陶瓷。
FF55MR12W1M1HB70 的特點
寬 RBSOA
雜散電感極低
更大的柵極驅(qū)動電壓窗口
PressFIT 引腳
高導熱性
FF55MR12W1M1HB70 的優(yōu)點
最大柵極源極電壓擴展至 +23 V 和 -10 V
過載條件下的 Tvjop 高達 175°C
最佳性價比，可降低系統(tǒng)成本
可實現(xiàn)高頻率運行，降低冷卻要求
FF55MR12W1M1HB70 的應用
電動汽車充電
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
伺服電機驅(qū)動和控制
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
S70FS01GSAGBHB213
S70FS01GSAGBHB213是一款由 Infineon 制造的 NOR Flash存儲器芯片，具有1Gbit（128MByte）的存儲容量，支持Quad SPI串行外設接口，能夠通過四條數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸，廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)和存儲密集型應用中。S70FS01GSAGBHB213的主要規(guī)格包括：存儲器類型：非易失存…
S70FS01GSAGBHB210
作為一款高性能1Gbit（128MByte）的 NOR Flash 存儲器產(chǎn)品，S70FS01GSAGBHB210支持Quad SPI串行外設接口，其工作電壓范圍為1.7V至2V，工作溫度范圍為-40℃至105C。該產(chǎn)品由 Infineon 生產(chǎn)，屬于其FS-S系列，具有較高的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。該存儲具備以下主要參數(shù)：存儲…
S70FS01GSAGBHI213
S70FS01GSAGBHI213是一款1Gbit（128MByte）的 NOR Flash 存儲器，支持SPI接口，工作電壓范圍為1.7V至2V，工作溫度范圍為-40℃至85℃??。該產(chǎn)品由 Infineon 生產(chǎn)，屬于其FS-S系列，具有較高的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力，能夠承受高達100,000次寫入循環(huán)，并且數(shù)據(jù)保留時間長達…
S25FS512SAGBHM210
S25FS512SAGBHM210是一款高性能的NOR存儲器芯片，具有512MBIT的存儲容量，支持多種串行接口和先進的數(shù)據(jù)保護功能。該芯片支持單線、雙線和四線SPI接口 ，并具備執(zhí)行在位（XIP）功能和高級扇區(qū)保護（ASP）。技術規(guī)格存儲器類型：非易失存儲器格式：閃存技術：FLASH - NOR存…
S25FS512SAGBHI210
S25FS512SAGBHI210是一款由（Infineon）制造的閃存芯片 ，屬于非易失性存儲器，采用 Quad SPI閃存 格式，存儲容量為512Mb（64M x 8），時鐘頻率為133MHz，能夠通過四條數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸，廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)和存儲密集型應用中。技術規(guī)格存儲器類型：非易失存儲器…電話咨詢：86-755-83294757
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