GD260HTX120P7H - 1200V 260A IGBT 功率模塊
GD260HTX120P7H 的一般說明
GD260HTX120P7H 是 IGBT 功率模塊，具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為混合動力和電動汽車等應用而設計。
GD260HTX120P7H 的特點
低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術
開關損耗低
6μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術的隔離式銅針腳基板
GD260HTX120P7H 的典型應用
汽車應用
混合動力和電動汽車
用于電機驅動的逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產及銷售服務，是目前國內功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司，并在國內和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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ID05FFX60U5SS
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DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG75H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…
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DG50H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG50H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG50H12T2 的典型應用用于電機驅動的逆…
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DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG40H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG40H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…
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