DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

DMWSH120H90SM3的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：41A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：97.5 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：50.9 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1090 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：246W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：-

資質(zhì)：-

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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