IMDQ75R140M1H CoolSiC? MOSFET 750V 是一款高度堅固的 SiC MOSFET 晶體管,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。它在性能、可靠性和堅固性方面具有優(yōu)勢,并具有柵極驅動靈活性,從而簡化了系統(tǒng)設計,提高了成本效益,實現了最高的效率和功率密度。
特點
高度穩(wěn)健的 750 V 技術
同類最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
低 Crss/Ciss 和高 Vgsth
100% 經過雪崩測試
.XT 互連技術,具有同類最佳的散熱性能
尖端的頂部冷卻封裝
優(yōu)勢
出色的硬開關效率
實現更高的開關頻率
可靠性更高
可承受超過 500 V 的總線電壓
對寄生匝的穩(wěn)健性
單極驅動
一流的散熱性能
應用
固態(tài)繼電器 (SSR)
單相組串逆變器解決方案
用于電信基礎設施的 AC-DC 電源轉換
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
服務器電源
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質因數Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產的一款功率MOSFET產品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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