CY15B108QN-50BKXI是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的低功耗 8-Mbit 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器，其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X108QN 以總線速度執(zhí)行寫(xiě)入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列。無(wú)需數(shù)據(jù)輪詢，即可開(kāi)始下一個(gè)總線周期。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫(xiě)入耐用性。CY15X108QN 能夠支持 1015 次讀寫(xiě)周期，寫(xiě)入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。

這些功能使 CY15X108QN 成為需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用的理想選擇。例如，在數(shù)據(jù)采集中，寫(xiě)入周期的次數(shù)可能至關(guān)重要；在要求苛刻的工業(yè)控制中，串行閃存或 EEPROM 的寫(xiě)入時(shí)間過(guò)長(zhǎng)可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品種類:F-RAM

存儲(chǔ)容量: 8 Mbit

接口類型: SPI

最大時(shí)鐘頻率: 50 MHz

組織: 1 M x 8

封裝 / 箱體: FBGA-24

電源電壓-最小: 1.8 V

電源電壓-最大: 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

濕度敏感性: Yes

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

工作電源電壓: 3.3 V

產(chǎn)品類型:FRAM

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