CY15B108QN-20BFXI是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的低功耗 8-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

作為串行 EEPROM 或閃存的硬件替代品，CY15X108QN 為用戶帶來了巨大優(yōu)勢。CY15X108QN 采用高速 SPI 總線，增強(qiáng)了 F-RAM 技術(shù)的高速寫入能力。該器件集成了只讀設(shè)備 ID 和唯一 ID 功能，允許主機(jī)確定每個部件的制造商、產(chǎn)品密度、產(chǎn)品修訂版和唯一 ID。該器件還提供一個可寫的 8 字節(jié)序列號寄存器，可用于識別特定電路板或系統(tǒng)。

產(chǎn)品屬性

類別：存儲器

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)：FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 8Mb  

存儲器組織： 1M x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率： 20 MHz  

訪問時間： 20 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 8-UFLGA  

供應(yīng)商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23） 

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