S70KS1283GABHB020 HyperRAM? KS是一種高速、低引腳數(shù)、低功耗的pseudo-SRAM，適用于需要擴展內(nèi)存以用于緩存或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)。低引腳數(shù)架構使HYPERRAM更適用于電源和電路板空間受限且需要片外RAM的應用。

關鍵特性：

外形小巧 – FBGA封裝確保了較小的占板空間

低引腳數(shù) – 低引腳數(shù)有助于簡化設計并降低系統(tǒng)成本

低功耗 – 混合睡眠模式和部分陣列刷新可提高能效

高吞吐量 – 高讀/寫帶寬能最大限度地提高系統(tǒng)性能

產(chǎn)品規(guī)格：

存儲器類型：易失

存儲器格式：PSRAM

技術：PSRAM（偽 SRAM）

存儲容量：128Mb

存儲器組織：16M x 8

存儲器接口：SPI - 八 I/O

時鐘頻率：200 MHz

寫周期時間 - 字，頁：35ns

訪問時間：35 ns

電壓 - 供電：1.7V ~ 2V

工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：24-VBGA

供應商器件封裝：24-FBGA（6x8）

基本產(chǎn)品編號：S70KS1283

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