UF3C065030B3是一款650 V, 27 mohm SiC FET，采用D2PAK-3L封裝。UF3C SiC FET基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，具有出色的反向恢復(fù)功能。這些器件非常適合用于任何受控環(huán)境，如電信和服務(wù)器電源、工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)加熱。

規(guī)格

技術(shù)：SiC

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：65 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：27 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 25°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：242 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標(biāo)名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降時(shí)間：15 ns

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時(shí)間：16 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：57 ns

典型接通延遲時(shí)間：32 ns

單位重量：3 g

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