CY15V104QSN-108BFXI是一款采用先進鐵電工藝的高性能 4-Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。

與串行閃存不同，CY15x104QSN 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需進行數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有很強的寫入耐用性。

CY15V104QSN-108BFXI規(guī)格：

類別：存儲器  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 4Mb  

存儲器組織： 512K x 8  

存儲器接口： SPI - 四 I/O  

時鐘頻率： 108 MHz  

訪問時間： 6.7 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 8-UFLGA  

供應(yīng)商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23）  

產(chǎn)品特點

? 4 Mbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯上組織為 512K × 8

- 幾乎無限制的耐久性，100 萬億次（1014）讀/寫循環(huán)

- 151 年數(shù)據(jù)保存期（參見第 101 頁 "數(shù)據(jù)保存期和耐用性）

- 英飛凌即時非易失性寫入技術(shù)

- 先進的高可靠性鐵電工藝

- 單 I/O 和多 I/O 串行外設(shè)接口 (SPI)

? 串行總線接口 SPI 協(xié)議

- 所有 SDR 模式傳輸均支持 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1)

- 所有 DDR 模式傳輸均支持 SPI 模式 0 (0, 0)

- 擴展 I/O SPI 協(xié)議

- 雙 SPI (DPI) 協(xié)議

- 四 SPI (QPI) 協(xié)議

? SPI 時鐘頻率

- 高達 108-MHz 頻率 SPI 單數(shù)據(jù)速率 (SDR)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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