CY15V108QN-50BKXQ是一款采用先進鐵電工藝的低功耗 8-Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供長達 119 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X108QN 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有很強的寫入耐用性。CY15X108QN 能夠支持 1014 次讀寫周期，寫入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。

產(chǎn)品屬性

類別：存儲器  

系列： Excelon?-Auto, F-RAM?  

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 8Mb  

存儲器組織： 1M x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率：50 MHz

訪問時間： 8 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q100  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼：24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（6x8） 

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