NTMFS4C020NT1G 是功率 MOSFET 30V、0.9 mΩ、303A、單 N 溝道晶體管。

產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss):30 V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C：47A (Ta)，303A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds 導(dǎo)通，最小 Rds 導(dǎo)通）：4.5V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：0.7mOhm @ 30A，10V

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Id：2.2V @ 250μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：139 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：10144 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：3.2W (Ta)，134W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型：表面貼裝

特點(diǎn)

占用空間?。?x6 毫米），適合緊湊型設(shè)計(jì)

低 RDS(on)，將傳導(dǎo)損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低

符合 RoHS 規(guī)范

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